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CPD63	文件：207.62 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode High Speed Switching Diode Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 11 x 11 MILS Die Thickness 11 MILS Anode Bonding pad Area 3.3 x 3.3 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 18,000Å 文件：207.62 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CPD63-1N4148-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD63-1N4148-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD63-1N4148-CTAN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD63-1N4148-CTAN	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD63-1N4148-WN	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD63-1N4148-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD63-1N4148-WS	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD63-1N4148-WS	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD63-1N4448-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die
VRRM MAX：
75V
Io MAX：
75mA
IFSM MAX：
2A
IR MAX：
100nA
@VR：
50V
VF MAX：
575mV
@IF：
250μA
trr MAX：
4ns
CJ MAX：
2pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CPD63供应商更新时间2025-12-15 15:41:00

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