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CPD92	文件：178.32 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode High Voltage Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize9.0x9.0MILS DieThickness7.9MILS AnodeBondingPadArea4.8MILSDIAMETER TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD92V	文件：157.84 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode High Voltage Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize9.0x9.0MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea4.8MILSDIAMETER TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD92X	文件：375.07 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize9.0x9.0MILS DieThickness5.9MILS AnodeBondingPadArea4.8MILSDIAMETER TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD93V	文件：407.18 Kbytes Page：2 Pages	High Current Switching Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize12.8x12.8MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea5.1x5.1MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-10,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD94X	文件：671.36 Kbytes Page：2 Pages	0.5 Amp Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS DieSize20x20MILS DieThickness5.9MILS AnodeBondingPadArea16x16MILS TopSideMetalizationAl-20,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD96V	文件：126.41 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode 500mA Low VF Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize20x20MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea16.4x16.4MILS TopSideMetalizationAl-20,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD98V	文件：30.69 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Diode Silicon High Current Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize20x20MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea16x16MILS TopSideMetalizationAl-20,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPDA10C1V5U-HF	文件：502.55 Kbytes Page：4 Pages	丝印：.E1V5；Package：DFN2510-10；SMD ESD Protection Diode Features -Lowleakagecurrent. -IEC61000-4-2(ESD)±16kV(Contact),±18kV(air). -Workingvoltage:1.5V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDA10C1V8U-HF	文件：502.67 Kbytes Page：4 Pages	丝印：.E1V8；Package：DFN2510-10；SMD ESD Protection Diode Features -Lowleakagecurrent. -IEC61000-4-2(ESD)±16kV(Contact),±18kV(air). -Workingvoltage:1.8V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDA10C2V5U-HF	文件：502.26 Kbytes Page：4 Pages	丝印：.E2V5；Package：DFN2510-10；SMD ESD Protection Diode Features -Lowleakagecurrent. -IEC61000-4-2(ESD)±16kV(Contact),±18kV(air). -Workingvoltage:2.5V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

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技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 89.000 X 89.000
VRRM MAX：
600V
Io MAX：
3A
IFSM MAX：
200A
IR MAX：
5μA
@VR：
600V
VF MAX：
1.2V
@IF：
3A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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