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CPD	文件：373.8 Kbytes Page：8 Pages	Packaging specifications surfacemountingtype	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
CPD04	文件：215.45 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier 500 mA Glass Passivated Rectifier Chip PROCESSDETAILS ProcessGLASSPASSIVATEDMESA DieSize26x26MILS DieThickness8.5MILS AnodeBondingPadArea14x14MILS TopSideMetalizationNi/Au-5,000Å/2,000Å BackSideMetalizationNi/Au-5,000Å/2,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD05	文件：216 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier 1 Amp Glass Passivated Rectifier Chip PROCESSDETAILS ProcessGLASSPASSIVATEDMESA DieSize51x51MILS DieThickness10.2MILS AnodeBondingPadArea36x36MILS TopSideMetalizationNi/Au-5,000Å/2,000Å BackSideMetalizationNi/Au-5,000Å/2,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD06	文件：217.34 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier 3 Amp Glass Passivated Rectifier Chip PROCESSDETAILS ProcessGLASSPASSIVATEDMESA DieSize89x89MILS DieThickness10.2MILS AnodeBondingPadArea66x66MILS TopSideMetalizationNi/Au-5,000Å/2,000Å BackSideMetalizationNi/Au-5,000Å/2,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD07	文件：211.45 Kbytes Page：2 Pages	General Purpose Rectifier 8 Amp Glass Passivated Rectifier Chip PROCESSDETAILS ProcessGLASSPASSIVATEDMESA DieSize98x98MILS DieThickness10.4MILS AnodeBondingPadArea82.5x82.5MILS TopSideMetalizationAu-5,000Å BackSideMetalizationAu-2,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD102X	文件：717.96 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode High Voltage Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize9.0x9.0MILS DieThickness5.9MILS AnodeBondingPadArea4.8MILSDIAMETER TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD104R	文件：717.39 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode Low VF Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS DieSize14.6x14.6MILS DieThickness3.9MILS AnodeBondingPadArea11.8x11.8MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD106R	文件：623.41 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS DieSize8.3x8.3MILS DieThickness3.9MILS AnodeBondingPadArea5.4x5.4MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD109R	文件：626.79 Kbytes Page：2 Pages	Low VF Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS DieSize8.3x8.3MILS DieThickness3.9MILS AnodeBondingPadArea5.4x5.4MILS TopSideMetalizationAl-20,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD1415B	文件：811.2 Kbytes Page：4 Pages	Inductor for Digital AMP Features： Corematerial:Ferrite Coreandwindingloss: www.codaca.com/DesignTool_Power-Inductor-Loss-Comparison.html Environmental:RoHScompliant,halogenfree Weight:13.05g MoistureSensitivity:Level(MSL)1 (unlimitedfloorlifeat	CODACAShenzhen Codaca Electronic Co.,Ltd 科达嘉电子深圳市科达嘉电子有限公司	CODACA

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 89.000 X 89.000
VRRM MAX：
600V
Io MAX：
3A
IFSM MAX：
200A
IR MAX：
5μA
@VR：
600V
VF MAX：
1.2V
@IF：
3A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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