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CPD76X-1N5817	文件：321.84 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Rectifier Die 1.0 Amp, 20 Volt TheCPD76X-1N5817isasilicon1.0Amp,20VoltSchottkyrectifieridealforalltypesofcommercial,industrial,entertainment,andcomputerapplications. MECHANICALSPECIFICATIONS: DieSize32x32MILS DieThickness5.9MILS AnodeBondingPadSize27x27MILS TopSideMetaliz	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD80	文件：226.79 Kbytes Page：2 Pages	Switch Diode High Voltage Switching Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize16x16MILS DieThickness9.0MILS AnodeBondingPadArea6.5x6.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD80V	文件：231.62 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize16x16MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea6.5x6.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-13,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD82X	文件：31.17 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Diode High Current, Low VF Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.6x14.6MILS DieThickness5.5MILS AnodeBondingpadArea11.8x11.8MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD83V	文件：128.03 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode High Speed Switching Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize11x11MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea3.35x3.35MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-13,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD83V-1N4148	文件：419.16 Kbytes Page：4 Pages	High Speed Switching Diode Die 0.15 Amp, 100 Volt TheCPD83V-1N4148isasiliconhighspeedswitchingdiodeidealforalltypesofcommercial,industrial,entertainment,andcomputerapplications. MECHANICALSPECIFICATIONS: DieSize11x11MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadSize3.35x3.35MILS TopSideMetalization	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD87R	文件：710.35 Kbytes Page：2 Pages	Low Leakage Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.6x14.6MILS DieThickness3.9MILS AnodeBondingPadArea11.8x11.8MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD89V	文件：458.05 Kbytes Page：2 Pages	High Current Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize12.8x12.8MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea5.1x5.1MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-10,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD91	文件：30.98 Kbytes Page：1 Pages	Switching Diode Low Leakage Switching Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize11x11MILS DieThickness9.1MILS AnodeBondingpadArea3.4x3.4MILS TopSideMetalizationAl-15,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD91V	文件：208.4 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode Low Leakage Switching Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize11x11MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea3.35x3.35MILS TopSideMetalizationAl-15,000Å BackSideMetalizationAu-As-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 89.000 X 89.000
VRRM MAX：
600V
Io MAX：
3A
IFSM MAX：
200A
IR MAX：
5μA
@VR：
600V
VF MAX：
1.2V
@IF：
3A

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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