Switch Diode High Voltage Switching Diode Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 16 x 16 MILS Die Thickness 9.0 MILS Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 18,000Å

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Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 16 x 16 MILS Die Thickness 7.1 MILS Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au-As - 13,000Å

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Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip

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Switch Diode High Voltage Switching Diode Chip

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Super Junction MOSFET

超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场转换到体内场，相对于传统VDMOS器件Rdson*A-BV关系从2.5次方变为1.32次方。\r\n\r\nCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C6系列，有效提升开关电源的效率及功率密度。

CoolSemi

功成半导体

SJ

CoolSemi

功成半导体