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CPD80

Switch Diode High Voltage Switching Diode Chip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize16x16MILS DieThickness9.0MILS AnodeBondingPadArea6.5x6.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CPD80

Switch Diode High Voltage Switching Diode Chip;

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CPD80R650G1

Super Junction MOSFET;

超结器件(Super Junction MOSFET)实现N型和P型周期排列结型耐压层,引入高浓度等量异型电荷,从表面场转换到体内场,相对于传统VDMOS器件Rdson*A-BV关系从2.5次方变为1.32次方。\r\n\r\nCoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构,极低特征导通电阻(Rdson*A)优于Infineon C6系列,有效提升开关电源的效率及功率密度。

CoolSemiCool Semiconductor Co., Limited

功成半导体上海功成半导体科技有限公司

CPD80V

Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize16x16MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea6.5x6.5MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-13,000Å

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

CPD80R550G1

SJ;

CoolSemiCool Semiconductor Co., Limited

功成半导体上海功成半导体科技有限公司

CPD80V_10

Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

技术参数

  • RDS(on)(mΩ)@10V Typ.:

    1000

  • RDS(on)(mΩ)@10V Max.:

    1400

  • Vth(V):

    3.5

  • Package:

    TO-252

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多CPD80供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00