首页>CPD80R650G1>规格书详情
CPD80R650G1数据手册CoolSemi中文资料规格书
CPD80R650G1规格书详情
描述 Description
超结器件（Super Junction MOSFET）实现N型和P型周期排列结型耐压层，引入高浓度等量异型电荷，从表面场转换到体内场，相对于传统VDMOS器件Rdson*A-BV关系从2.5次方变为1.32次方。\r
\r
CoolSemi SJ产品采用先进的超结技术和优化的设计结构，极低特征导通电阻（Rdson*A）优于Infineon C6系列，有效提升开关电源的效率及功率密度。
技术参数
- 制造商编号
：CPD80R650G1
- 生产厂家
：CoolSemi
- RDS(on)(mΩ)@10V Typ.
：560
- RDS(on)(mΩ)@10V Max.
：650
- Vth(V)
：3.5
- Package
：TO-252
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
COMCHIP/典琦科技 |
24+ |
NA/ |
9000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Comchip/典琦科技 |
25+ |
DFN10P |
9000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
Comchip |
20+ |
DFN10P |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
COMCHIP |
23+ |
DFN10P |
113121 |
原装正品现货 |
询价 | ||
COMCHIP/典琦科技 |
24+ |
DFN10P |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
CN/如韵 |
24+ |
SOP-8 |
12000 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
COMCHIP/典琦科技 |
24+ |
DFN10P |
60000 |
询价 | |||
COMCHIP/典琦科技 |
24+ |
DFN10 |
98000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
COMCHIP/典琦科技 |
23+ |
DFN10P |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
