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CPD80V	文件：231.62 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 16 x 16 MILS Die Thickness 7.1 MILS Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au-As - 13,000Å 文件：231.62 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CPD80V_10	文件：400.98 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip 文件：400.98 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CPD80V	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Diode High Voltage Switching Diode Chip	Central	Central
CPD80V-CMPD2003	文件：300 bytes Page：1 Pages	Chip Form: High Voltage Switching Diode	Central	Central

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 16.100 X 16.100
VRRM MAX：
250V
Io MAX：
200mA
IFSM MAX：
4A
IR MAX：
100nA
@VR：
200V
VF MAX：
1V
@IF：
100mA
trr MAX：
50ns
CJ MAX：
5pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CPD80V供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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