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CPD89V	文件：458.05 Kbytes Page：2 Pages	High Current Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize12.8x12.8MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea5.1x5.1MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-10,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CPD89V

文件：458.05 Kbytes

Page：2 Pages

High Current Diode Chip

PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize12.8x12.8MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea5.1x5.1MILS TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-10,000Å

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

CPD89V-CMPD1001

文件：300 bytes

Page：1 Pages

Chip Form: High Current Switching Diode;

CentralCentral Semiconductor Corp

美国中央半导体

Central

技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 12.800 X 12.800
VRRM MAX：
90V
Io MAX：
250mA
IFSM MAX：
6A
IR MAX：
100nA
@VR：
90V
VF MAX：
750mV
@IF：
10mA
trr MAX：
50ns
CJ MAX：
35pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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技术参数

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