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CPD93V

High Current Switching Diode Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 12.8 x 12.8 MILS Die Thickness 7.1 MILS Anode Bonding Pad Area 5.1 x 5.1 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au-As - 10,000Å

文件:407.18 Kbytes 页数:2 Pages

Central

CPD93V-1N3600

Chip Form: 0.25A, 50V Switching Diode

Central

CPD93V-1N4150

Chip Form: 0.25A, 50V Switching Diode

Central

CPD93V-1N3600-WN

Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SWITCHING DIODE

Central

CPD93V-1N4150-CT

Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SWITCHING DIODE

Central

CPD93V-1N4150-WN

Package:模具;包装:散装 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:SWITCHING DIODE

Central

技术参数

  • Case:

    Chip_Packaging

  • Configuration/ Description:

    Bare die 12.795 X 12.795

  • VRRM MAX:

    50V

  • Io MAX:

    200mA

  • IFSM MAX:

    1A

  • IR MAX:

    100nA

  • @VR:

    50V

  • VF MAX:

    620mV

  • @IF:

    1mA

  • trr MAX:

    4ns

  • CJ MAX:

    2.5pF

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更多CPD93V供应商 更新时间2025-12-10 14:50:00