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CPD64	文件：209.87 Kbytes Page：2 Pages	Low Leakage Diode Low Leakage Diode Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 17.5 x 17.5 MILS Die Thickness 8.0 MILS Anode Bonding Pad Area 8.0 MILS DIAMETER Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 6,000Å 文件：209.87 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CPD64-1N3595-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD64-1N3595-CT	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD64-1N3595-WN	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
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CPD64-1N3595-WR	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD64-1N3595-WR	文件：530.8 Kbytes Page：9 Pages	PNP - High Voltage Transistor Die 文件：530.8 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
CPD64-1N485B-CT	文件：465.81 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel JFET Die 文件：465.81 Kbytes 页数：9 Pages	Central	Central
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技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 17.500 X 17.500
VRRM MAX：
150V
Io MAX：
150mA
IFSM MAX：
500mA
IR MAX：
1nA
@VR：
125V
VF MAX：
690mV
@IF：
1mA
trr MAX：
3μs
CJ MAX：
8pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CPD64供应商更新时间2025-12-24 15:45:00

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