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BLV34

射频(RF)双极晶体管 RF Transistor

ASI Semiconductor

ASI Semiconductor

BLW50F

高频管

PHILIOS/HG

晶体管资料

  • 型号:

    BLV34F

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    甚高频 (VHF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    75V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    225MHZ

  • 引脚数:

    6

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    130W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    G-256

  • vtest:

    75

  • htest:

    225000000

  • atest:

    15

  • wtest:

    130

详细参数

  • 型号:

    BLV34

  • 功能描述:

    射频双极电源晶体管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作频率:

    30 MHz 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    25 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    4 V

  • 集电极连续电流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封装/箱体:

    Case 211-11

  • 封装:

    Tray

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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