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DAM4N150S	文件：247.78 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO	DACO
FV4N150	文件：244.37 Kbytes Page：10 Pages	N-CHANNEL1500V-5-ohm-4ATO-220FHVeryHighVoltagePowerMESH-TMMOSFET Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
FV4N150	文件：249.12 Kbytes Page：13 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-TO-220FHVeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
HM4N150T	文件：730.15 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IXTA4N150HV	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTH4N150	文件：118.64 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTJ4N150	文件：160.02 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXTT4N150HV	文件：204.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFastIntrinsicDiode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
P4N150	文件：762.25 Kbytes Page：15 Pages	N-channel1500V,5廓,4A,PowerMESH??PowerMOSFETinTO-220,TO-247,TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STFV4N150	文件：249.12 Kbytes Page：13 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-TO-220FHVeryhighvoltagePowerMESH??PowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
STFV4N150	文件：459.62 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-PowerMESH??PowerMOSFETTO-220-TO-220FH-TO-247-TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STFW4N150	文件：335.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrentID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP4N150	文件：332.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STP4N150	文件：459.62 Kbytes Page：16 Pages	N-channel1500V-5廓-4A-PowerMESH??PowerMOSFETTO-220-TO-220FH-TO-247-TO-3PF	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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STP4N150	文件：310.71 Kbytes Page：11 Pages	N-CHANNEL1500V-5-4ATO-220/TO-247VeryHighVoltagePowerMESHMOSFET Description UsingthewellconsolidatedhighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofveryhighvoltagePowerMOSFETswithoutstandingperformances. Thestrengthenedlayoutcoupledwiththecompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesth	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市粤华信科技有限公司	BL4N150	BELLING/上海贝岭	22+	TO220/TO220F/TO247/TO3PF/TO3PN	40000	一级代理-原装现货/支持实单	询价
深圳市共奕科技有限公司	BL4N150	BELLING/上海贝岭	1年内	TO-220 TO247	150000	贝岭经销商原厂FAE技术支持	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	BL4N150-K	BELLING上海贝岭	24+	TO-3PF	10000	原装正品	询价
深圳市川蓝电子科技有限公司	BL4N150-K	BELLING/上海贝岭	21+	TO-3PF	5000	原包装原标现货,假一罚十,	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	BL4N150-K	BELLING/上海贝岭	新批次	N/A	4326		询价
深圳市中联芯电子有限公司	BL4N150-K	BELLING/上海贝岭	24+	TO-3PF	9000	只做原装正品有挂有货假一赔十	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BL4N60D	JXND	21+ROHS	TO-252	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	BL4N90-P		23+	N/A	78300	一级代理放心采购	询价
深圳市和悦电子贸易有限公司	BL4N90-TO-220-3	BELLING	22+	TO-220	10000		询价
深圳市惊羽科技有限公司	BL4P06-3L	GY	24+25+/26+27+	SOT-23-3	18800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价

更多BL4N150供应商更新时间2024-6-10 18:16:00

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