N通道标准高电压MOSFET

• 国际标准包装\n• 快速切换时间\n• 雪崩评级\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 超低的RDS(on);

Littelfuse

力特

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode

文件：204.1 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件：118.64 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=1500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Pulse Circuits · Capacitor Discharge Applications · High Voltage Power Supplies

文件：347 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件：160.02 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯