N-Channel MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode

文件：204.1 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

文件：118.64 Kbytes 页数：5 Pages

IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 4A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=1500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 6Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Pulse Circuits · Capacitor Discharge Applications · High Voltage Power Supplies

文件：347 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电