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BFG11WSLASHX	文件：98.03 Kbytes Page：12 Pages	丝印：S4；Package：SOT-343；NPN 2 GHz power transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic 4-pin dual-emitter SOT343 package. FEATURES • High power gain • High efficiency • Small size discrete power amplifier • 1.9 GHz operating area • Gold metallization ensures excellent reliability • Linear and non-l 文件：98.03 Kbytes 页数：12 Pages	PHI PHI	PHI
BFG425W	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-343	恩XP 上传：深圳市英科美电子有限公司	恩XP
BFG520	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT143	恩XP 上传：深圳市英科美电子有限公司	恩XP
BFG520/X	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT143	恩XP 上传：深圳市英科美电子有限公司	恩XP
BFG520/XR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-143R	Slkor(萨科微上传：深圳市华康联电子科技有限公司	Slkor(萨科微

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