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BFG11WSLASHX中文资料飞利浦数据手册PDF规格书

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厂商型号

BFG11WSLASHX

功能描述

NPN 2 GHz power transistor

丝印标识

S4

封装外壳

SOT-343

文件大小

98.03 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-10-13 14:41:00

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BFG11WSLASHX规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic 4-pin dual-emitter SOT343 package.

FEATURES

• High power gain

• High efficiency

• Small size discrete power amplifier

• 1.9 GHz operating area

• Gold metallization ensures excellent reliability

• Linear and non-linear operation.

APPLICATIONS

• Common emitter class-AB operation in handheld radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS.

• Driver for DCS 1800.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
2021+
SOT23
7600
原装现货,欢迎询价
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PHI
24+/25+
3000
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01+
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