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厂商型号

BFG11W

功能描述

NPN 2 GHz power transistor

文件大小

98.03 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-2-9 16:07:00

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BFG11W规格书详情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic 4-pin dual-emitter SOT343 package.

FEATURES

• High power gain

• High efficiency

• Small size discrete power amplifier

• 1.9 GHz operating area

• Gold metallization ensures excellent reliability

• Linear and non-linear operation.

APPLICATIONS

• Common emitter class-AB operation in handheld radio equipment at 1.9 GHz such as DECT, PHS.

• Driver for DCS 1800.

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