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BFG11W/X

丝印:S4;Package:SOT-343;NPN 2 GHz power transistor

DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic 4-pin dual-emitter SOT343 package. FEATURES • High power gain • High efficiency • Small size discrete power amplifier • 1.9 GHz operating area • Gold metallization ensures excellent reliability • Linear and non-l

文件:98.03 Kbytes 页数:12 Pages

PHI

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BFG520/XR

SOT-143R

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BFP405

SOT-343

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恩XP
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SOT-343SOT-323-4
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更多BFG11W/X供应商 更新时间2026-10-13 10:50:00