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CEB1012	文件：371.97 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEB1012L	文件：379.91 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED1012	文件：379.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CED1012L	文件：695.69 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEP1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■TO-220&TO-263package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU1012	文件：379.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CEU1012L	文件：695.69 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■120V,10A,RDS(ON)=120mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CFA1012	文件：139.2 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANARPOWERTRANSISTOR PNPSILICONPLANARPOWERTRANSISTOR TO-220FPFullyIsolatedPlasticPackage ComplementaryCFC2562 HighCurrentSwitchingApplications	CDIL CDIL
CFP-1012TB	文件：451.75 Kbytes Page：5 Pages	PIANOSWITCHES(FULLPITCH)	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司
CHM1012LPAPT	文件：199.13 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE120VoltsCURRENT10Ampere FEATURE Smallpackage.(TO-252A) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO
CHM1012PAPT	文件：198.6 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO CHENMKO
CJ1012	文件：2.82626 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
CJ1012	文件：1.17896 Mbytes Page：3 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor
CJ1012-G	文件：142.04 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
CJW1012	文件：1.49433 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
CJW1012	文件：686.73 Kbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMI ZP Semiconductor
CJW1012	文件：723.09 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司

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详细参数

型号：
BF1012
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
Silicon N-Channel MOSFET Tetrode(For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz Operating voltage 12V Integrated stabilized bias network

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市凯斯宇科技有限公司	BF1012	NXP	2022	SOT143	1500	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市博浩通科技有限公司	BF1012	NXP	23+	SOT143	10500	原装现货特价热销	询价
深圳市广弘电子有限公司	BF1012	INFINEON/英飞凌	20+	SOT-143	5500	代理库存,房间现货,有挂就是现货	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	BF1012	Infineon/英飞凌	22+	SOT-143	163000	一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	BF1012	NXP/恩智浦		SOT143	7906200		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	BF1012	INFINEON	2017+	SOT-143	48520	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
深圳好佳好科技有限公司	BF1012	NXP	1305+	SOT143	12000	公司特价原装现货	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	BF1012	INFINEON	2008++	SOT-143SOT-23-4	12200	新进库存/原装	询价
深圳市力通伟业半导体有限公司	BF1012	NXP	13+		55000	特价热销现货库存	询价
深圳市鹏和科技有限公司	BF1012	INFINEON	2022+	143	5000	只做原装公司现货	询价

更多BF1012供应商更新时间2024-4-27 16:18:00

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