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CEP1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor FEATURES ■ 120V, 10A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：498.1 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEP1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor FEATURES ■ 120V, 10A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：497.34 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEP1012_07	文件：371.97 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：371.97 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP1012L_07	文件：379.91 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：379.91 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

详细参数

型号：
CEP1012
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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