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CEB1012	文件：498.1 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor FEATURES ■ 120V, 10A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：498.1 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEB1012	文件：371.97 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：371.97 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEB1012	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor	CET 华瑞	CET
CEB1012L	文件：497.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor FEATURES ■ 120V, 10A, RDS(ON) = 120mΩ @VGS = 5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. 文件：497.34 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEB1012L	文件：379.91 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：379.91 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEB1012L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Transistor	CET 华瑞	CET

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