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BDW64D

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • Collector Current -IC= -6A • High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= -2A • Complement to Type BDW63/A/B/C/D APPLICATIONS • Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications

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ISC

无锡固电

BDW64D

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNP SILICON POWER DARLINGTONS • Designed forComplementary Use with BDW63, BDW63A, BDW63B, BOW63C and BDW63D • 60 W at 25°C Case Temperature • 6 A Continuous Collector Current • MinimumhFE of 750 at 3V, 2 A

文件:99.41 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDW64D

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDW63, BDW63A, BDW63B, BDW63C and BDW63D ● 60 W at 25°C Case Temperature ● 6 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 2 A

文件:146.85 Kbytes 页数:6 Pages

POINN

BDW64D

PNP SILICON POWER DARLINGTONS

文件:114.86 Kbytes 页数:5 Pages

Bourns

伯恩斯

BDW64D-S

TRANS PNP DARL 120V 6A

Bourns

伯恩斯

BDW64D-S

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS PNP DARL 120V 6A TO220

Bourns Inc.

Bourns Inc.

详细参数

  • 型号:

    BDW64D

  • 功能描述:

    达林顿晶体管 60W 6A PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶体管极性:

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流:

    0.5 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-18

  • 封装:

    Reel

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更多BDW64D供应商 更新时间2025-10-13 16:00:00