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BDW83D	文件：121.44 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS They are silicon epitaxial-base NPN power monolithic Darlington transistor mounted in Jedec TO-218 plastic package. They are intended for use in power linear and switching applications. The complementary are BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C, B 文件：121.44 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BDW83D	文件：136.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use in power linear and switching applications. 文件：136.49 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDW83D	文件：137.33 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -lc= 15A • High DC Current Gain-hFE= 750(Min)@ lc= 6A • Complement to Type BDW84D APPLICATIONS • Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications 文件：137.33 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDW83D	文件：182.28 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDW84, BDW84A, BDW84B, BDW84C and BDW84D ● 150 W at 25°C Case Temperature ● 15 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 6 A 文件：182.28 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDW83D	文件：147.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3PN package • Complement to type BDW84/84A/84B/84C/84D • DARLINGTON • High DC current gain APPLICATIONS • For use in power linear and switching applications. 文件：147.55 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDW83D	文件：149.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：149.15 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDW83D	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.53 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BDW83D	文件：120.59 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：120.59 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BDW83D	文件：282.24 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：282.24 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BDW83D-S	文件：282.24 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：282.24 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS

晶体管资料

型号：
BDW83D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDV67B,FH9E,
最大耗散功率：
150W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-62
vtest：
120
htest：
1000100
atest：
15
wtest：
150

详细参数

型号：
BDW83D
功能描述：
达林顿晶体管 150W 15A NPN
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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