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BDX54F | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= -8A • High DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= -2A • Complement to Type BDX53F APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications. 文件：109.52 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BDX54F | Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= -8A • High DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= -2A • Complement to Type BDX53F APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications. 文件：129.949 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
BDX54F | Complementary Silicon Power Darlington Ttransistors DESCRIPTION The BDX53F are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in hammer drivers, audio amplifiers and other medium power linear and switching applications. The complementary PNP t 文件：72.11 Kbytes 页数：1 Pages | TGS | TGS | |
BDX54F | SILICON PNP POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The BDX53F is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration, mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP type is BDX54F. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTY 文件：47.91 Kbytes 页数：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
BDX54F | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The BDX53F is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration, mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP type is BDX54F. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTY 文件：72.71 Kbytes 页数：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
160V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
20MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
60W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
B-10
- vtest：
160
- htest：
20000000
- atest：
8
- wtest：
60
详细参数
- 型号：
BDX54F
- 功能描述：
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 配置：
Octal
- 晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
- VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
集电极—基极电压
- 最大直流电集电极电流：
0.5 A
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
SOIC-18
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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