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BDX88B | Power Transistors DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER 文件：53.7 Kbytes 页数：1 Pages | CENTRAL | CENTRAL | |
BDX88B | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= -6A ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = -45V(Min)- BDX88; -60V(Min)- BDX88A -80V(Min)- BDX88B; -100V(Min)- BDX88C ·Complement to Type BDX87/A/B/C APPLICATIONS ·Designed 文件：230.64 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
BDX88B | Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：135.7 Kbytes 页数：2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
BDX88B | Bipolar PNP Device 文件：11.29 Kbytes 页数：1 Pages | SEME-LAB | SEME-LAB |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
12A
- 最大工作频率：
35MHZ
- 引脚数：
2
- 可代换的型号：
BDX66A,MJ4031,TIP646,2N6051,
- 最大耗散功率：
120W
- 放大倍数：
β>1000
- 图片代号：
E-44
- vtest：
80
- htest：
35000000
- atest：
12
- wtest：
120
详细参数
- 型号：
BDX88B
- 制造商：
ISC
- 制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
询价 | |||
MOTOROLA/ONSEMI |
2021+ |
TO-3 |
5800 |
原装现货,欢迎来电咨询 |
询价 | ||
ST |
专业铁帽 |
TO-3 |
500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
询价 | ||
ST |
专业铁帽 |
TO-3 |
67500 |
铁帽原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST |
23+ |
TO-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
25+ |
66 |
公司优势库存 热卖中!! |
询价 | ||||
PHI |
22+ |
BGA |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ST |
9950+ |
TO-3 |
500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST |
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