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BDX67C	文件：129.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=10A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBDX66/A/B/C APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BDX67C	文件：145.28 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON DARLINGTONS NPNSILICONDARLINGTONS Highcurrentpowerdarlingtonsdesignedforpoweramplificationandswitchingapplications.	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BDX67C	文件：142.34 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1000(Min)@IC=10A •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBDX66/A/B/C APPLICATIONS •Designedforaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BDX67C	文件：24.06 Kbytes Page：2 Pages	NPN EPITAXIAL BASE DARLINGTON POWER TRANSISTOR	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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BDX67CECC	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

详细参数

型号：
BDX67C
制造商：
TT Electronics/ Semelab
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR TO-3
功能描述：
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-3

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更多BDX67C供应商更新时间2025-6-13 16:01:00

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