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BDX85C

Power Transistors

DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N6674, 2N6675 types are NPN Silicon Triple Diffused Mesa Power Transistors designed for high voltage switching applications. MARKING: FULL PART NUMBER

文件:53.7 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

BDX85C

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C • Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications.

文件:231.91 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BDX85C

Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 750(Min)@ IC= 3A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX85; 60V(Min)- BDX85A 80V(Min)- BDX85B; 100V(Min)- BDX85C • Complement to Type BDX86/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications.

文件:135.59 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BDX85C

Bipolar NPN Device

文件:11.29 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

晶体管资料

  • 型号:

    BDX85C

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    10MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDX65B,BDX83C,BDX87C,FH8B,MJ3001,TIP142,2N6059,2SD628,2SD629,

  • 最大耗散功率:

    100W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    100

  • htest:

    10000000

  • atest:

    10

  • wtest:

    100

详细参数

  • 型号:

    BDX85C

  • 制造商:

    SEME-LAB

  • 制造商全称:

    Seme LAB

  • 功能描述:

    Bipolar NPN Device

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更多BDX85C供应商 更新时间2026-1-17 10:20:00