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BDX83C	文件：229.93 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83A 80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83C APPLICATIONS • Power switching • Hammer drivers • Series and shunt regulators • Audio amplifiers 文件：229.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDX83C	文件：135.16 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min)@ IC= 5A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 45V(Min)- BDX83; 60V(Min)- BDX83A 80V(Min)- BDX83B; 100V(Min)- BDX83C APPLICATIONS • Power switching • Hammer drivers • Series and shunt regulators • Audio amplifiers 文件：135.16 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI

晶体管资料

型号：
BDX83C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX85C,BDX87C,2N6059,2SD628,2SD629,
最大耗散功率：
125W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
20000100
atest：
10
wtest：
125

技术参数

功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BDX83C供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

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