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BDX18N	文件：156.26 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL BASE [Comset] LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentSwitching Suitablefor: Seriesandshuntregulators HighFidelityAmplifiers Power-switchingcircuits	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BDX18N	文件：155.14 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL BASE PNPSILICONTRANSISTOREPITAXIALBASE LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentSwitching ThermalFatigueInspection CompliancetoRoHS Applications: •Seriesandshuntregulators •HighFidelityAmplifiers •Power-switchingcircuits •Solenoiddrivers	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BDX18N	文件：85.56 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE PNPSILICONTRANSISTORS,EPITAXIALBASE Highcurrantswitching Commutationfortcourant	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BDX18N	文件：15.52 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BDX18N	文件：79.74 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON TRANSISTOR EPITAXIAL BASE	COMSET Comset Semiconductor	COMSET

晶体管资料

型号：
BDX18N
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BD250B,2N3792,2N6247,3CD15B,
最大耗散功率：
117W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
70
htest：
999900
atest：
15
wtest：
117

详细参数

型号：
BDX18N
制造商：
SEME-LAB
制造商全称：
Seme LAB
功能描述：
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

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更多BDX18N供应商更新时间2024-4-29 16:30:00

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