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BDX20

PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

[Comset] LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentFastSwitching ThermalFatigueInspection

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

BDX20

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION •HighCurrentCapability •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-140V(Min) •HighSwitchingSpeed APPLICATIONS •DesignedforLFlargesignalpoweramplification.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

BDX20

PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

TheBDX20aremountedinTO-3metalpackage. LFLargeSignalPowerAmplification HighCurrentFastSwitching ThermalFatigueInspection CompliancetoRoHS.

COMSET

Comset Semiconductor

BDX20

Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

BDX20

Silicon PNP Power Transistor

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

BDX20

SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

COMSET

Comset Semiconductor

BDX20_12

SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

COMSET

Comset Semiconductor

晶体管资料

  • 型号:

    BDX20

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    160V

  • 最大电流允许值:

    10A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    TIP519,TIP527,3CD15E,

  • 最大耗散功率:

    117W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    160

  • htest:

    999900

  • atest:

    10

  • wtest:

    117

详细参数

  • 型号:

    BDX20

  • 功能描述:

    PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

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更多BDX20供应商 更新时间2024-4-29 16:00:00