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BDX20	文件：132.07 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE [Comset] LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching Thermal Fatigue Inspection 文件：132.07 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BDX20	文件：77.2 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION • High Current Capability • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -140V(Min) • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for LF large signal power amplification. 文件：77.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDX20	文件：138.07 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE The BDX20 are mounted in TO-3 metal package. LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching Thermal Fatigue Inspection Compliance to RoHS. 文件：138.07 Kbytes 页数：2 Pages	COMSET	COMSET
BDX20	文件：75.84 Kbytes Page：3 Pages	SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE 文件：75.84 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BDX20	文件：135.58 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：135.58 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDX20	文件：16.32 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 文件：16.32 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BDX20_12	文件：75.84 Kbytes Page：3 Pages	SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE 文件：75.84 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BDX20	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics

晶体管资料

型号：
BDX20
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
TIP519,TIP527,3CD15E,
最大耗散功率：
117W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
160
htest：
999900
atest：
10
wtest：
117

详细参数

型号：
BDX20
功能描述：
PNP SILICON TRANSISTORS EPITAXIAL BASE

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更多BDX20供应商更新时间2025-12-24 10:21:00

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