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BDX53BFP | SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION The BDX53BFP is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration mounted in T0-220FP fully molded isolated package. It is intented for use in hammer drivers, audio amplifiers and other medium power linear and switching applications. APPLIC 文件：90.7 Kbytes 页数：4 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
BDX53BFP | Package：TO-220-3 整包；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 80V 8A TO220FP | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
LSO
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
20MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD645F,BDT63AF,2SD1416,2SD2162,
- 最大耗散功率：
29W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
20000000
- atest：
8
- wtest：
29
产品属性
- 产品编号：
BDX53BFP
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 12mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：
TO-220FP
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220FP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO-220F |
10000 |
只有原装 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
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ST |
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ST |
24+ |
TO-220 |
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