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BDX53F	文件：109.56 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= 8A • High DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A • Complement to Type BDX54F APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications. 文件：109.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDX53F	文件：129.13 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector Current -IC= 8A • High DC Current Gain- : hFE= 500(Min)@ IC= 2A • Complement to Type BDX54F APPLICATIONS • Designed for use in power linear and switching applications. 文件：129.13 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDX53F	文件：72.11 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Silicon Power Darlington Ttransistors DESCRIPTION The BDX53F are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in hammer drivers, audio amplifiers and other medium power linear and switching applications. The complementary PNP t 文件：72.11 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
BDX53F	文件：72.71 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION The BDX53F is a silicon Epitaxial-Base NPN power transistor in monolithic Darlington configuration, mounted in Jedec TO-220 plastic package. It is intented for use in power linear and switching applications. The complementary PNP type is BDX54F. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTY 文件：72.71 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BDX53F-E	文件：66.5 Kbytes Page：1 Pages	Complementary Silicon Power Darlington Ttransistors 文件：66.5 Kbytes 页数：1 Pages	TGS	TGS
BDX53F	文件：300 bytes Page：1 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	ST 意法半导体	ST
BDX53F	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 160V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BDX53F
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
160V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1025,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
160
htest：
20000000
atest：
8
wtest：
60

技术参数

Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
500@2A@5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
8A
Maximum Collector Emitter Voltage：
160V
Maximum Collector Base Voltage：
160V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
5@10mA@2AV
Configuration：
Single

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