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BDX53C	文件：41.25 Kbytes Page：4 Pages	Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications Hammer Drivers, Audio Amplifiers Applications Power Liner and Switching Applications • Power Darlington TR • Complement to BDX54, BDX54A, BDX54B and BDX54C respectively 文件：41.25 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BDX53C	文件：169.96 Kbytes Page：6 Pages	DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80-100 VOLTS 65 WATTS Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors BDX53B, BDX53C (NPN), BDX54B, BDX54C (PNP) DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80−100 VOLTS, 65 WATTS These devices are designed for general−purpose amplifier and low−speed switching application 文件：169.96 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BDX53C	文件：77.95 Kbytes Page：3 Pages	NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BDX53, 53A, 53B, 53C NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BDX54, 54A, 54B, 54C PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Power Darlingtons for Linear and Switching Applications 文件：77.95 Kbytes 页数：3 Pages	CDIL	CDIL
BDX53C	文件：187.75 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(8A.,45-100V,60W) 8 Ampere Darington Coplemenetary Silicon Power Transistors 45-100 Volts 60Watts 文件：187.75 Kbytes 页数：4 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
BDX53C	文件：169.96 Kbytes Page：6 Pages	Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors BDX53B,BDX53C --> NPN BDX54B,BDX54C --> PNP DARLINGTON 8 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 80–100 VOLTS 65 WATTS . . . designed for general–purpose amplifier and low–speed switching applications. • High DC Current Gain —hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc • Collector 文件：169.96 Kbytes 页数：6 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BDX53C	文件：810.29 Kbytes Page：5 Pages	BASE NPN / PNP EPITAXIAL BASE NPN / PNP POWER DARLINGTONS 文件：810.29 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BDX53C	文件：150.2 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDX54, BDX54A, BDX54B and BDX54C ● 60 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：150.2 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDX53C	文件：92.54 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High DC current gain ·DARLINGTON ·Complement to type BDX54/A/B/C APPLICATIONS ·Power linear and switching applications ·Hammer drivers,audio amplifiers 文件：92.54 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDX53C	文件：94.12 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High DC current gain ·DARLINGTON ·Complement to type BDX54/A/B/C APPLICATIONS ·Power linear and switching applications ·Hammer drivers,audio amplifiers 文件：94.12 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BDX53C	文件：133.95 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High DC current gain ·DARLINGTON ·Complement to type BDX54/A/B/C APPLICATIONS ·Power linear and switching applications ·Hammer drivers,audio amplifiers 文件：133.95 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
BDX53C
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD267B,BD649,BD701,BD901,BDW73C,BDX33C,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
20000000
atest：
8
wtest：
60

产品属性

产品编号：
BDX53C
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 12mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220-3
描述：
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220-3

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