| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-220 |
5000 |
2024+ |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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STTO-220F |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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STTO-220F |
6850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科达星科技有限公司3年
留言
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ST/意法TO-220F |
8080 |
23+ |
原装，可配单 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST(意法半导体)TO-220 |
1612 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ST/意法TO-220F |
50000 |
22+ |
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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STTO-220 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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ST/意法N |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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ONTO-220 |
6000 |
17+ |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美NA |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市盈腾兴电子科技有限公司8年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
12820 |
21+ |
公司只做原装,诚信经营 |
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深圳市九方航科技有限公司2年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
7188 |
23+ |
秉承只做原装 终端我们可以提供技术支持 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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STTO-220 |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
8860 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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ST/意法TO-220F |
880000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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STTO-220F |
983 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市中赛美电子科技有限公司8年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
12700 |
23+ |
买原装认准中赛美 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ST/意法TO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
16900 |
23+ |
原装，可配单 |
BDX53B采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BDX53B图片
BDX53B价格
BDX53B价格：￥1.2074品牌：STMICROELECTRONICS
生产厂家品牌为STMICROELECTRONICS的BDX53B多少钱，想知道BDX53B价格是多少？参考价：￥1.2074。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BDX53B批发价格及采购报价，BDX53B销售排行榜及行情走势，BDX53B报价。
BDX53B中文资料Alldatasheet PDF
更多BDX53B功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX53B_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
BDX53B_07制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors
BDX53BFI功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB
BDX53BFP功能描述:达林顿晶体管 Silicon Pwr Trnsistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX53BG功能描述:达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX53B-S功能描述:达林顿晶体管 80V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX53BTU功能描述:达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
产品属性
- 产品编号：
BDX53B
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 12mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
20MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD267A,BD647,BD899,BDW73B,BDX33B,
- 最大耗散功率：
60W
- 放大倍数：
β>750
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
20000000
- atest：
8
- wtest：
60
