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ST/意法TO-220

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深圳市欧立现代科技有限公司

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STTO-220F

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onsemi(安森美)TO-220-3

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ST(意法半导体)TO-220

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onsemiTO-220

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-220

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上海意淼电子科技有限公司

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MOTTO-220

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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STTO-220F

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深圳市科芯源微电子有限公司

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ST全系列TO-220

18

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中天科工半导体（深圳）有限公司

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BDX53B

STTO-220

38560

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原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市威尔健半导体有限公司

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BDX53B

ST/意法TO-220F

200

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深圳市中飞凌科技有限公司

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STTO-220

60000

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只有原装 可配单

深圳市赛尔通科技有限公司

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BDX53B

PTO-220

238

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深圳市明盛嘉电子科技有限公司

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BDX53B

ST/意法TO-220

43600

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全新原装现货,假一赔十

深圳市振宏微科技有限公司

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BDX53B

STTO-220

50000

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专做原装正品,假一罚百!

深圳市达恩科技有限公司

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BDX53B

STMicroelectronicsNA

3000

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进口原装正品优势供应

深圳市富达微科技有限公司

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BDX53B

ST/意法半导体TO-220-3

16900

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BDX53B价格

BDX53B价格：￥1.2074品牌：STMICROELECTRONICS

生产厂家品牌为STMICROELECTRONICS的BDX53B多少钱，想知道BDX53B价格是多少？参考价：￥1.2074。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BDX53B批发价格及采购报价，BDX53B销售排行榜及行情走势，BDX53B报价。

BDX53B中文资料Alldatasheet PDF

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BDX53B功能描述:达林顿晶体管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BDX53B_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

BDX53B_07制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Complementary power Darlington transistors

BDX53BFI功能描述:TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-220AB

BDX53BFP功能描述:达林顿晶体管 Silicon Pwr Trnsistr RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BDX53BG功能描述:达林顿晶体管 8A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BDX53B-S功能描述:达林顿晶体管 80V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BDX53BTU功能描述:达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

产品属性

  • 产品编号：

    BDX53B

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 晶体管类型：

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    2V @ 12mA，3A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    500µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    750 @ 3A，3V

  • 工作温度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 80V 8A TO220

晶体管资料

  • 型号：

    BDX53B

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    80V

  • 最大电流允许值：

    8A

  • 最大工作频率：

    20MHZ

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    BD267A,BD647,BD899,BDW73B,BDX33B,

  • 最大耗散功率：

    60W

  • 放大倍数：

    β>750

  • 图片代号：

    B-10

  • vtest：

    80

  • htest：

    20000000

  • atest：

    8

  • wtest：

    60

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