选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
1048 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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STTO-220 |
30000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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STTO-220 |
30000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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ST意法半导体TO-220 |
6000 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46290 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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HARRISTO-220 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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FSCN/A |
21322 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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STMTO-220 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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STTO-220 |
10000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市云美电子科技有限公司2年
留言
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SAM/三星TO-220 |
34137 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-220 |
10000 |
全新 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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SAM/三星TO-220 |
16790 |
23+24 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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ST/意法TO-220 |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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ST/意法TO-220-3 |
300 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220 |
68900 |
STMicroelectronics |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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STMicroelectronicsTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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STTO-220 |
38560 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市远进半导体有限公司3年
留言
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STTO-220 |
25000 |
22 |
3月31原装,微信报价 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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STTO-220 |
25000 |
20+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
BDX33B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BDX33B图片
BDX33BG价格
BDX33BG价格:¥2.0528品牌:ON
生产厂家品牌为ON的BDX33BG多少钱,想知道BDX33BG价格是多少?参考价:¥2.0528。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,BDX33BG批发价格及采购报价,BDX33BG销售排行榜及行情走势,BDX33BG报价。
BDX33B中文资料Alldatasheet PDF
更多BDX33B功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33B_06制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors
BDX33B_07制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Complementary Silicon Power Transistors
BDX33BG功能描述:达林顿晶体管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
BDX33B-S功能描述:达林顿晶体管 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
产品属性
- 产品编号:
BDX33B
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
2.5V @ 6mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 3A,3V
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 10A TO220
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N+Darl+Di
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
80V
- 最大电流允许值:
10A
- 最大工作频率:
>20MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
BD267A,BD647,BD699,BDT63A,BDT65A,BDW93B,YZ25C,
- 最大耗散功率:
70W
- 放大倍数:
β>750
- 图片代号:
B-10
- vtest:
80
- htest:
20000100
- atest:
10
- wtest:
70