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BDW73B	文件：268.88 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current -IC= 8A ·High DC Current Gain-hFE= 750(Min.)@ IC= 3A ·Complement to Type BDW74/A/B/C/D APPLICATIONS ·Designed for audio output stages and general amplifier and switching applications 文件：268.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDW73B	文件：111.93 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BDW74, BDW74A, BDW74B, BDW74C and BDW74D ● 80 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A 文件：111.93 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BDW73B	文件：141.23 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：141.23 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDW73B-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 8A TO220	Bourns Inc.	Bourns Inc.

晶体管资料

型号：
BDW73B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
>1MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD647,BD699,BD899,BDX33B,BDX53B,FH7C,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
1000100
atest：
8
wtest：
80

详细参数

型号：
BDW73B
功能描述：
达林顿晶体管 80W 8A NPN
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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