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BDW94B	文件：183.47 Kbytes Page：4 Pages	POWER TRANSISTORS(12A,45-100V,80W) DARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS 12AMPEREDARLINGTONCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS45-100VOLTS80WATTS	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
BDW94B	文件：152.66 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBDW93,BDW93A,BDW93BandBDW93C ●80Wat25°CCaseTemperature ●12AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,5A	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd	POINN
BDW94B	文件：80.06 Kbytes Page：6 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBDW93CisasiliconEpitaxial-BaseNPNpowertransistorinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Itisintentedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypeisBDW94C.AlsoBDW94BisaPNPtype. ■STMicroel	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
BDW94B	文件：689.25 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BDW94B	文件：39.61 Kbytes Page：5 Pages	Power Linear and Switching Applications PowerLinearandSwitchingApplications •PowerDarlingtonTR •ComplementtoBDW93,BDW93A,BDW93BandBDW93Crespectively	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BDW94B	文件：94.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •HighDCCurrentGain •DARLINGTON •ComplementtotypeBDW93/A/B/C APPLICATIONS •Hammerdrivers, •Audioamplifiersapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BDW94B	文件：136.45 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·HighDCCurrentGain ·DARLINGTON ·ComplementtotypeBDW93/A/B/C APPLICATIONS ·Hammerdrivers, ·Audioamplifiersapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BDW94B	文件：95.65 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION •WithTO-220Cpackage •HighDCCurrentGain •DARLINGTON •ComplementtotypeBDW93/A/B/C APPLICATIONS •Hammerdrivers, •Audioamplifiersapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BDW94B	文件：137.83 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-lc=-12A •Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=-45V(Min)-BDW94;-60V(Min)-BDW94A -SOV(Min)-BDW94B;-100V(Min)-BDW94C •ComplementtoTypeBDW93/A/B/C APPLICATIONS •Designedforhammerdrivers,audioampli	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BDW94B	文件：111.5 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER DARLINGTONS	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
BDW94B-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP DARL 80V 12A TO220	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns

晶体管资料

型号：
BDW94B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
12A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDT62A,BDT64A,BDW46,
最大耗散功率：
80W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-10
vtest：
80
htest：
20000100
atest：
12
wtest：
80

详细参数

型号：
BDW94B
功能描述：
达林顿晶体管 PNP Power Darlington
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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