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BFG540W/XR	文件：132.2 Kbytes Page：16 Pages	NPN9GHzwidebandtransistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialtransistors,intendedforwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,satelliteTVtuners(SATV),MATV/CATVamplifiersandrepeateramplifiersinfibre	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BFG540W-X	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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BFG540X	文件：343.31 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNRFTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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BFG540-X	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BFG540-XR	文件：556.92 Kbytes Page：4 Pages	NPNSILICONRFTRANSISTOR Feature Highgain:︱S21e︱2TYP.Valueis13dB@VCE=8V，IC=40mA，f=0.9GHz Lownoise:NFTYP.Valueis1.8dB@VCE=10V，IC=10mA，f=0.9GHz fT(TYP.):TYP.Valueis9GHz@VCE=8V，IC=40mA，f=1GHz	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BFG540-XR	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFM540	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BFP540	文件：578.51 Kbytes Page：10 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540	文件：548.51 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540	文件：159.89 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forhighestgainandlownoiseamplifier •OutstandingGms=21.5dBat1.8GHzMinimumnoisefigureNFmin=0.9dBat1.8GHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540ESD	文件：228.29 Kbytes Page：9 Pages	NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier •HighESDrobustness typicalvalue1000V(HBM) •OutstandingGms=21.5dB@1.8GHz MinimumnoisefigureNFmin=0.9dB@1.8GHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackage withvi	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540ESD	文件：602.67 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540ESD	文件：628.47 Kbytes Page：9 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540F	文件：189.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor •Forhighestgainlownoiseamplifierat1.8GHz •OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB •Goldmetallizationforhighreliability •SIEGET45-Line	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540FESD	文件：112.56 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconRFTransisto NPNSiliconRFTransistor* •ForESDprotectedhighgainlownoiseamplifier •ExcellentESDperformancetypicalvalue1000V(HBM) •OutstandingGms=20dB NoiseFigureF=0.9dB •SIEGET®45-Line •Pb-free(ROHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdesc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540FESD	文件：538.44 Kbytes Page：6 Pages	LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFP540FESD	文件：504.48 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BFQ540	文件：77.86 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNRFTransistor DESCRIPTION ·HighGain ·HighOutputVoltage ·LowNoise APPLICATIONS ·DesignedforuseinVHF,UHFandCATVamplifiers.	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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详细参数

型号：
BD540S
制造商：
PANJIT
制造商全称：
Pan Jit International Inc.
功能描述：
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	BD540S	PANJIT	23+	TO-252	33500	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	BD540S	PANJIT	23+	TO-252	10000	公司只做原装正品	询价
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深圳市创新迹电子有限公司	BD540S	PANJIT	22+	TO-252	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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深圳市一线半导体有限公司	BD540W	DIODES	2008++	SOD-1231206	57200	新进库存/原装	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BD540W	ST	23+	13	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
深圳市星佑电子有限公司	BD540W	ST	22+	13	16900	支持样品原装现货提供技术支持!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	BD540YS	PANJIT/强茂	2021+	TO-252	50000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市星辰微电科技有限公司	BD54102G-CZ	ROHM/罗姆	23+	SSOP3A 2.92×2.4, H=Max 1.12	24500	罗姆全系列在售	询价

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