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BD545A	文件：256.75 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=40V(Min)-BD545;60V(Min)-BD545A 80V(Min)-BD545B;100V(Min)-BD545C •ComplementtoTypeBD546/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplif	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD545A	文件：87.12 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD546Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD545A	文件：88.37 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD546Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD545A	文件：104.33 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER TRANSISTORS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD545A-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-218-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 15A SOT93	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.
BD545B	文件：88.37 Kbytes Page：6 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS NPNSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD546Series ●85Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
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BD545B	文件：256.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •CollectorCurrent-IC=15A •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=40V(Min)-BD545;60V(Min)-BD545A 80V(Min)-BD545B;100V(Min)-BD545C •ComplementtoTypeBD546/A/B/C APPLICATIONS •Designedforuseingeneralpurposepoweramplif	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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BD545C	文件：104.33 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTORS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

详细参数

型号：
BD545A
功能描述：
两极晶体管 - BJT 70W NPN Silicon
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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