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BD545B

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Collector Current -IC= 15A • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 40V(Min)- BD545; 60V(Min)- BD545A 80V(Min)- BD545B; 100V(Min)- BD545C • Complement to Type BD546/A/B/C APPLICATIONS • Designed for use in general purpose power amplif

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ISC

无锡固电

BD545B

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD546 Series ● 85 W at 25°C Case Temperature ● 15 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available

文件:87.12 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

BD545B

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

NPN SILICON POWER TRANSISTORS ● Designed for Complementary Use with the BD546 Series ● 85 W at 25°C Case Temperature ● 15 A Continuous Collector Current ● Customer-Specified Selections Available

文件:88.37 Kbytes 页数:6 Pages

POINN

BD545B

NPN SILICON POWER TRANSISTORS

文件:104.33 Kbytes 页数:5 Pages

BOURNS

伯恩斯

BD545B-S

Package:TO-218-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 15A SOT93

Bourns Inc.

Bourns Inc.

晶体管资料

  • 型号:

    BD545B

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    80V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BD709,BD743B,BD909,3DD69C,

  • 最大耗散功率:

    85W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    80

  • htest:

    999900

  • atest:

    15

  • wtest:

    85

详细参数

  • 型号:

    BD545B

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT 70W NPN Silicon

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多BD545B供应商 更新时间2026-4-19 16:00:00