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BD651	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● RoHS compliant* ● Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：105.89 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BD651	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS ● RoHS compliant* ● Designed for Complementary Use with BD646, BD648, BD650 and BD652 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V, 3 A 文件：90.32 Kbytes 页数：4 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BD651	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS PNP epitaxial-base transistors in a monolithic Dalrington circuit and housed in a TO-220 enveloppe. They are intended for output stages in audio equipment, general amplifiers, and analogue switching application. NPN complements are BD643, BD645, BD647 文件：336.95 Kbytes 页数：5 Pages	COMSET	COMSET
BD651	文件：108.26 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= 3A • Low Saturation Voltage • Complement to Type BD652 APPLICATIONS • Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications 文件：108.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD651	文件：126.1 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) • High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @lc= 3A • Low Saturation Voltage • Complement to Type BD652 APPLICATIONS • Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications 文件：126.1 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD651	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS PNP SILICON POWER DARLINGTONS ● Designed for Complementary Use with BD645, BD647, BD649 and BD651 ● 62.5 W at 25°C Case Temperature ● 8 A Continuous Collector Current ● Minimum hFE of 750 at 3 V , 3 A 文件：115.8 Kbytes 页数：6 Pages	POINN	POINN
BD651	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type BD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For use in output stages in audio equipment ,general amplifier, and analogue switching applications 文件：116.15 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BD651	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 文件：112.31 Kbytes 页数：5 Pages	COMSET	COMSET
BD651	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS 文件：105.89 Kbytes 页数：5 Pages	BOURNS 伯恩斯	BOURNS
BD651	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor	Comset	Comset

晶体管资料

型号：
BD651
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
140V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BDW3D,BDX33D,BDX53E,BDT21,FD50C,
最大耗散功率：
62.5W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
140
htest：
999900
atest：
8
wtest：
62.5

技术参数

Supply Voltage(Max.)[V]：
5.5
Current consumption(Typ.)[µA]：
85.0
ON Resistance [mΩ]：
100
Channel Number [ch]：
2
Control Input Logic：
Active High
Over Current Detect [A]：
1.25 to 2.2
Output Turn on Time [ms]：
1.5
Thermal Shut Down：
Latch Type
Operating Temperature (Min.)[°C]：
-25
Operating Temperature (Max.)[°C]：
85

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