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BD647	文件：115.8 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649andBD651 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	POINNPower Innovations Ltd Power Innovations Ltd
BD647	文件：125.89 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd
BD647	文件：127.08 Kbytes Page：4 Pages	PNP SILICON DARLINGTON TRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONTRANSISTORS	SIEMENS Siemens Ltd
BD647	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
BD647	文件：336.95 Kbytes Page：5 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS SILICONDARLINGTONPOWERTRANSISTORS PNPepitaxial-basetransistorsinamonolithicDalringtoncircuitandhousedinaTO-220enveloppe.Theyareintendedforoutputstagesinaudioequipment,generalamplifiers,andanalogueswitchingapplication. NPNcomplementsareBD643,BD645,BD647	COMSET Comset Semiconductor
BD647	文件：116.15 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors SiliconPNPPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·ComplementtotypeBD645/647/649/651 ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Foruseinoutputstagesinaudioequipment,generalamplifier,andanalogueswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.
BD647	文件：108.24 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=80V(Min) HighDCCurrentGain:hFE=750(Min)@IC=3A LowSaturationVoltage ComplementtoTypeBD648	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BD647	文件：90.32 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●RoHScompliant* ●DesignedforComplementaryUsewithBD646,BD648,BD650andBD652 ●62.5Wat25°CCaseTemperature ●8AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,3A	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
BD647	文件：125.42 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor Eplbasepowerdarlingtontransistors(62.5W) BD643,BD645,BD647,andBD649aremonolithicNPNSiliconepibasepowerdarlingtontransistorswithdiodeandresistorsinaTO220ABplasticpackage(TOP-66).Thecollectorsofthetwotransistorsareelectricallyconnectedtothemetallicmounting	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BD647	文件：112.31 Kbytes Page：5 Pages	SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS	COMSET Comset Semiconductor
BD647	文件：105.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
BD647F	文件：279.03 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BD647-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 8A TO220	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
647	文件：91.26 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
647.S	文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTweezers	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
647.SA	文件：3.67611 Mbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTweezers	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
647H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
AD647	文件：378.71 Kbytes Page：6 Pages	UltralowDrift,DualBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD647J	文件：378.71 Kbytes Page：6 Pages	UltralowDrift,DualBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD647JH	文件：378.71 Kbytes Page：6 Pages	UltralowDrift,DualBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD647isanultralowdrift,dualJFETamplifierthatcombineshighperformanceandconvenienceinasinglepackage.TheAD647usesthemostadvancedion-implantationandlaserwaferdrifttrimmingtechnologiestoachievethehighestperformancecurrentlyavailableinad	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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晶体管资料

型号：
BD647
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BD699，BD899，BDW73B，BDX33B，BDX53B，FD50B,
最大耗散功率：
62.5W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
100
htest：
999900
atest：
8
wtest：
62.5

详细参数

型号：
BD647
功能描述：
达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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