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BD650F | isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 文件：279.43 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
NPN Silicon Germanium RF Transistor Product Brief The BFP650 is a high linearity wideband NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineon’s reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4 V and currents up to IC = 150 mA. With 文件：209.79 Kbytes 页数：7 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
NPN Silicon Germanium RF Transistor NPN Silicon Germanium RF Transistor Preliminary data • For high power amplifiers • Ideal for low phase noise oscilators • Maxim. available Gain Gma = 21 dB at 1.8 GHz Noise figure F = 0.9 dB at 1.8 GHz • Gold metallization for high reliability • 70 GHz fT- Silicon Germanium technology. 文件：191.16 Kbytes 页数：6 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor 文件：1.83564 Mbytes 页数：27 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性质：
LSO
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
100V
- 最大电流允许值：
8A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BDT62AF,BDT62BF,BDT62CF,2SB1020,2SB1283,
- 最大耗散功率：
>20W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
8
- wtest：
20.0001
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
23+ |
TO-220F |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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恩XP |
2022+ |
TO-220F |
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原厂代理 终端免费提供样品 |
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恩XP |
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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恩XP |
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TO-220F |
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原装进口正口,支持样品 |
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TO-220F |
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