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BD750B	文件：82.34 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistors 文件：82.34 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD750B	文件：133.16 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistors 文件：133.16 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD750B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 100V 20A	NJS	NJS
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BFP750	文件：1.8587 Mbytes Page：27 Pages	High Linearity Low Noise SiGe:C NPN RF Transistor Product Brief The BFP750 is a wideband linear low noise NPN bipolar RF transistor. The device is based on Infineons reliable high volume silicon germanium carbon (SiGe:C) heterojunction bipolar technology. The collector design supports voltages up to VCEO = 4 V and currents up to IC = 120 mA. Wit 文件：1.8587 Mbytes 页数：27 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

晶体管资料

型号：
BD750B
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
110V
最大电流允许值：
20A
最大工作频率：
>4MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
250W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
110
htest：
4000100
atest：
20
wtest：
250

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@0.75A@7.5AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
100V
Maximum DC Collector Current：
20A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
200ﾡC
Maximum Power Dissipation：
250000mW
Maximum Transition Frequency：
4(Min)MHz
Type：
PNP

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