| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-3PN |
10000 |
全新 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-218 |
15000 |
17+ |
原装现货热卖 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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STTO-218 |
15000 |
2018+ |
原装现货热卖 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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STTO-3P |
9860 |
23+24 |
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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ISCNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscTO-3PN/TO-247 |
4750 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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N/ASMD |
5177 |
23+ |
现货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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BOURNSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ST/意法TO-218 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦TO-3P |
92594 |
22+ |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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BOURNS |
227 |
23+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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POWERINNOVAT |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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PHILIPSTO-3P |
8000 |
23+ |
全新原装现货,欢迎来电咨询 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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TIBGAQFP |
1000 |
2021 |
全新、原装 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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TO-3PN |
10000 |
全新 |
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深圳市星佑电子有限公司3年
留言
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STTO-220 |
16900 |
22+ |
支持样品 原装现货 提供技术支持! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Bourns Inc.TO-218-3 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦TO-3P |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦TO-3P |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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PHITO-3P |
136 |
04+ |
BD746采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BD746图片
BD746C中文资料Alldatasheet PDF
更多BD746功能描述:两极晶体管 - BJT 115W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD746A功能描述:两极晶体管 - BJT 115W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD746A-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 20A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD746B功能描述:两极晶体管 - BJT 115W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD746B-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 20A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD746C功能描述:两极晶体管 - BJT 115W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD746C-S功能描述:两极晶体管 - BJT 100V 40A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
BD746-S功能描述:两极晶体管 - BJT 80V 20A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
20A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD250,3CK109B,
- 最大耗散功率：
115W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-62
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
20
- wtest：
115
