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BD746C	文件：146.74 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBD745/A/B/C ·Highcurrentcapability ·Highpowerdissipation APPLICATIONS ·Foruseinpowerlinearandswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BD746C	文件：93.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ·WithTO-3PNpackage ·ComplementtotypeBD745/A/B/C ·Highcurrentcapability ·Highpowerdissipation APPLICATIONS ·Foruseinpowerlinearandswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BD746C	文件：91.93 Kbytes Page：6 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS PNPSILICONPOWERTRANSISTORS ●DesignedforComplementaryUsewiththeBD745Series ●115Wat25°CCaseTemperature ●20AContinuousCollectorCurrent ●25APeakCollectorCurrent ●Customer-SpecifiedSelectionsAvailable	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BD746C	文件：109.82 Kbytes Page：5 Pages	PNP SILICON POWER TRANSISTORS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BD746C	文件：138.37 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
BD746C-S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-218-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 100V 20A SOT93	Bourns Inc. Bourns Inc.	Bourns Inc.

详细参数

型号：
BD746C
功能描述：
两极晶体管 - BJT 115W PNP Silicon
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BD746C供应商更新时间2025-7-14 16:00:00

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