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BD779	文件：95 Kbytes Page：2 Pages	PLASTIC DARUNGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 文件：95 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD779	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans Darlington NPN 60V 4A 3-Pin TO-225	NJS	NJS
BD7790KVT	文件：163.24 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit 文件：163.24 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD7790KVT	文件：197.15 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit 文件：197.15 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD7790KVT_11	文件：197.15 Kbytes Page：5 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit 文件：197.15 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD7791FUV	文件：139 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit 文件：139 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD7791KVT	文件：151.64 Kbytes Page：4 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit 文件：151.64 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
BD7791FUV	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit	ROHM 罗姆	ROHM
BD7791KVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon Monolithic Integrated Circuit	ROHM 罗姆	ROHM
BD7790KVT-E2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TQFP；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）全半桥驱动器描述：IC MOTOR DRIVER PAR 48TQFP	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
BD779
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD263A,BD679,2N6039,
最大耗散功率：
15W
放大倍数：
β>750
图片代号：
B-21
vtest：
80
htest：
20000100
atest：
4
wtest：
15

技术参数

Type：
NPN
Number of Elements per Chip：
1
Minimum Operating Temperature：
-65°C
Minimum DC Current Gain：
750@2000mA
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Continuous DC Collector Current：
4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Base Emitter Saturation Voltage：
2.5@6mA@1.5AV
Configuration：
Single

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