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艾睿（深圳）半导体有限公司

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市振宏微科技有限公司

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BD647功能描述:达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

BD647-S功能描述:达林顿晶体管 80V 8A NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel

晶体管资料

  • 型号：

    BD647

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl+Di

  • 性质：

    低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    100V

  • 最大电流允许值：

    8A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

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  • 可代换的型号：

    BD699，BD899，BDW73B，BDX33B，BDX53B，FD50B,

  • 最大耗散功率：

    62.5W

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    B-10

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