BD647分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BD647 |
| 参数属性 | BD647 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 80V 8A TO220 |
| 功能描述 | Silicon NPN Darlington Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
125.42 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 20:07:00 |
| 人工找货 | BD647价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BD647规格书详情
Eplbase power darlington transistors (62.5W)
BD 643, BD 645, BD647, and BD649 are monolithic NPN Silicon epibase power darlington transistors with diode and resistors in a TO 220 AB plastic package (TOP-66). The collectors of the two transistors are electrically connected to the metallic mounting area. These darlington transistors for AF applications are outstanding for particularly high current gain. Together with BD 644, BO646, BD 648, and BD 650, they are particularly suitable for useas complementary AF push-pull output stages.
产品属性
- 产品编号：
BD647-S
- 制造商：
Bourns Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 50mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS NPN DARL 80V 8A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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