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BD726	文件：106.16 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon PNP Power Transistor 文件：106.16 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BD726	文件：131.27 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP Power Transistor 文件：131.27 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BD726	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 120V 4A	NJS	NJS
CP726X	文件：468.51 Kbytes Page：2 Pages	Small Signal MOSFET Transistor P-Channel Enhancement-Mode Transistor Chip PROCESS DETAILS Die Size 27.6 x 31.5 MILS Die Thickness 5.5 MILS Gate Bonding Pad Area 3.9 x 3.9 MILS Source Bonding Pad Area 20.2 x 24.1 MILS Top Side Metalization Ai-Si - 35,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å 文件：468.51 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL
DRA726	文件：5.32637 Mbytes Page：409 Pages	Infotainment Applications Processor Silicon Revision 2.0 文件：5.32637 Mbytes 页数：409 Pages	TI 德州仪器	TI
DRA726	文件：5.28605 Mbytes Page：408 Pages	Infotainment Applications Processor 文件：5.28605 Mbytes 页数：408 Pages	TI 德州仪器	TI

晶体管资料

型号：
BD726
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
>3MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
36W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
100
htest：
3000100
atest：
4
wtest：
36

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
120V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.2A@2AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
120V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
30000mW
Maximum Transition Frequency：
3(Min)MHz
Type：
PNP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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